新闻资讯您当前的位置：首页 > 新闻资讯 > 万用表DMM源测SMU晶体管反向漏电、击穿电压、阈值电压测试

万用表DMM源测SMU晶体管反向漏电、击穿电压、阈值电压测试

日期：2014-07-14浏览：2213次

吉时利KEITHLEY2000万用表DMM，2600源测量单元SMU进行晶体管，运放正向电压、反向漏电、反向击穿电压、阈值电压、β和跨导参数测试
序由：欧姆定律指出电路元件两端的电压 V 与流经电路元件的电流 I 和此元件的电阻 R 的关系：R = V/I。2 端 DMM 通过测试线输出测试电流zui终流入 DMM 的 HI-LO 输入端子。这种 2 线欧姆系统适合大多数电阻测量应用。然而，测试线的 I-R 压降会导致 (RL) 在较低电阻的测量中准确度明显降低。４线欧姆测量或 Kelvin 测量通过将两条高阻抗电压感测线引出至未知电阻 RX，从而避开了 RL 两端的电压降。由于高输入阻抗导致感测电路中的电流非常小，因此测试线实际上没有 I-R 压降，而且在两个感测端子看到的电压与 RX 两端形成的电压相等。

而美国吉时利KEITHLEY源测量单元SMU可以充当用作电压表、电流表、欧姆表、电源或源负载以测量电压、电流、电阻以及I-V特性分析和曲线跟踪。然而，SMU 的真正优势在于同时进行源和测量——例如在电阻器、二极管、晶体管和运放等基础元器件测量中，对被测器件（负载）施加电压并测量负载上通过的电流，或着对负载提供电流并测量负载两端的压降。源测量单元或 SMU 能用作独立的恒压源或恒流源并用作单独的电压表或电流表。SMU 能测量二极管的正向电压、反向漏电和反向击穿电压。SMU 是 I-V 特性分析测试的核心仪器，例如探测二极管和晶体管的基本原理。两台 SMU 结合使用就能进行阈值电压、β 和跨导参数测试以及产生半导体曲线族。

上一篇：坚融实业代理经销杭州精测电子直流电源，示波器

下一篇：基于KEITHLEY2600源表MOSFET场效应管特性分析

新闻资讯您当前的位置：首页 > 新闻资讯 > 万用表DMM源测SMU晶体管反向漏电、击穿电压、阈值电压测试

万用表DMM源测SMU晶体管反向漏电、击穿电压、阈值电压测试

产品分类

联系我们