基础信息Product information

产品名称：美国吉时利KEITHLEY万用表2001

产品型号：

更新时间：2024-08-16

产品简介：

美国吉时利KEITHLEY万用表2001中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供专业的解决方案，测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。

产品特性Product characteristics

中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供专业的解决方案，测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。

吉时利KEITHLEY2000，2001,2002,2010万用表应用领域：
 离散和无源元件 
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻

–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等 
 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC 
–射频集成电路（RFIC）
–集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器

 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
 太阳能电池
 电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路

测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性

双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性

的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于*进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – zui大耗尽层

宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线

比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 

Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)
 
2. 双极结型晶体管
     主题
   正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
   正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
   正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：尔利电压。
   反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
   反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
   Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
   BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。
 
3. 亚微米集成 MOSFET
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效

沟道长度与 VDS 的关系。
传输特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS 

= –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the 

transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
衬底偏压特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region 

(VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亚阈值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier 

Lowering (VT shift) effect.
衬底电流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection 

effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用长沟道和短沟道公式的输出特性模型：比较实验结果。

美国吉时利KEITHLEY万用表2001概述

    用户在实际应用中通常需要具有较高分辨率、准确度和灵敏度，以及高产能的产品。现在有两款吸引力的数字多用表可供选择。吉时利推出的keithley2001型七位半和keithley2002型八位半高性能数字多用表所具备的性能指标通常只能在那些价格昂贵数千倍的测量仪器上才能获得，不仅如此，它们的功能比常规的数字多用表更加丰富。
 
 keithley2001七位半吉时利数字多用表特点
七位半 （2001型）或八位半 （2002型）分辨率
高速的多功能测量性能
多种内置测量功能
内置的10通道扫描器选件
兼容IEEE－488.2和SCPI接口
2002型具备HP3458A仿真模式 
 
美国吉时利KEITHLEY万用表2001主要指标

 标配件

1751型2线通用测试探头（适用于175A、197A、2000、2001、2002、2010、2015、2016） 

选购配件
槽口盖板
MEM1：32k存储器
MEM2：128k存储器
2000-SCAN：10通道通用扫描卡
2001-TCSCAN：9通道扫描卡用于冷端补偿的温度测量、电压、电阻和/或频率测量
2001-SCAN型：10通道扫描卡，带8个继电器输入和2个固态输入
 
keithley2001七位半吉时利数字多用表配套产品
7001，7001型80通道程控开关控制器
7002，7002型400通道程控开关控制器

keithley美国吉时利万用表系列产品
keithley2000-20型六位半数字多用表（带20通道扫描卡）
keithley2000/2000-SCAN型、2000型六位半数字多用表（带2000-SCAN型10通道扫描卡）
keithley2001型高性能七位半数字多用表，带8k存储器
keithley2010型七位半低噪声自动变量程数字多用表
keithley2700型数字多用表，数据采集，数据记录系统，带2个插槽
keithley2750型数字多用表/数据采集/开关/数据记录系统
keithley2002/ MEM1型高性能八位半数字多用表（带32k内存）
keithley2002/ MEM2型高性能八位半数字多用表（带128k内存）