基础信息Product information

产品名称：美国吉时利KEITHLEY万用表

产品型号：2100

更新时间：2024-08-16

产品简介：

美国吉时利KEITHLEY万用表2000，2001,2002,2010，2100,2110中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供专业的解决方案，测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。

产品特性Product characteristics

中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供专业的解决方案，测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。

美国吉时利KEITHLEY万用表2000，2001,2002,2010，2100,2110应用领域：
 离散和无源元件 
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等 
 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC 
–射频集成电路（RFIC）
–集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
 太阳能电池
 电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路

测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性

双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性

的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于*进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – zui大耗尽层

宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线

比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 

Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)
 
2. 双极结型晶体管
     主题
   正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
   正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
   正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：尔利电压。
   反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
   反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
   Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
   BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。
 
3. 亚微米集成 MOSFET
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效

沟道长度与 VDS 的关系。
传输特性：
衬底偏压特性： 
亚阈值特性：
衬底电流特性：
使用长沟道和短沟道公式的输出特性模型：比较实验结果。

吉时利高性能DMM系列的产品。它的高精度（38ppm）和六位半的分辨率特性，使之成为通用测量的理想选择。

    美国吉时利KEITHLEY2100具有11种测量功能和8种数学计算功能，能够轻松实现zui常用参数的测量。凭借其精度高、成本低的综合优势，非常适合于研发工程师、测试工程师、科研人员以及学生在试验台或系统应用中进行精准测量。
 
keithley2100美国吉时利KEITHLEY万用表特点
用于通用测量需求的高精度六位半数字万用表，价格仅相当于五位半的同类产品
11种测量功能，涵盖zui常用的测量参数
所有测试功能的精度满足ISO的技术标准
USB 2.0接口兼容TMC，支持SCPI测试命令
随机配置 KI-Tool软件和Microsoft Word和Excel中的嵌入式软件工具
结实耐用的结构可适用于试验台与便携式应用
前、后面板输入可选，便于试验台或机架式应用
包括启动软件、USB连接线、电源线、安全测试探头在内的全套附件，zui大限度地为用户节约成本
兼容CE 

keithley2100主要指标
 

美国吉时利KEITHLEY2100六位半USB数字多用表可选配件

美国吉时利KEITHLEY4299-3型单机通用机架安装套件

美国吉时利KEITHLEY4299-4型双机通用机架安装套件

美国吉时利KEITHLEY8605型高性能模块化测试线，长度为0.9米（3 ft），（适用于美国吉时利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美国吉时利KEITHLEY8606型高性能模块化探头套件（适用于美国吉时利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美国吉时利KEITHLEY5808型低成本单探针，Kelvin探头

系列产品

美国吉时利KEITHLEY2000型六位半数字多用表

美国吉时利KEITHLEY2001型高性能七位半数字多用表，带8k存储器

美国吉时利KEITHLEY2002型高性能八位半数字多用表，带8k存储器

美国吉时利KEITHLEY2010型七位半低噪声自动变量程数字多用表