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基础信息Product information
产品名称：是德Keysight B1505A功率器件分析仪图示仪
产品型号：B1506A
更新时间：2024-08-19
产品简介：
是德Keysight B1505A功率器件分析仪图示仪，美国是德Keysight B1506A功率器件分析仪半导体图示仪，是德Keysight B1505A功率器件分析仪半导体图示仪/曲线追踪仪
产品特性Product characteristics
专业仪器设备与测试方案供应商——上海坚融实业有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 坚友（上海）测量仪器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，为原安捷伦Agilent技术工程师-坚JET和吉时利KEITHLEY应用工程师-融YOO于2011年共同创办的以技术支持为特色的代理贸易公司，志在破旧立新！*进口仪器设备大多厂家仅在国内设销售点，技术支持薄弱或者没有，而代理经销商也只专业做商务销售，不专业做售前仪器设备选型配置/测试方案系统搭建，不专业做售后操作使用培训/维修校准保养的空白。我们的技术销售工程师均为本科以上学历，且均有10年以上测试行业经验，以我们*进*的经营理念，专业为祖国用户提供仪器设备、测试方案、技术培训、维修服务，为上海华东地区一家以技术为导向的仪器设备综合服务商。
功率器件分析仪系列
是德科技功率器件分析仪是用于功率器件测试的解决方案。功率器件分析仪可以配备各种高性能选件，这些选件覆盖从 3 kV / 20A 到 10 kV /1500A 的广阔电流和电压范围并具有其他特性，从而使分析仪能够测试所有类型的功率器件。该系列提供了众多型号的功率器件分析仪，以满足功率器件制造商和功率电路/产品制造商的特殊需求。
是德Keysight B1505A功率器件分析仪图示仪/曲线追踪仪是一款适合功率器件测试的综合解决方案，具有 sub-pA 至 10 kV/1500 A 的宽测量范围，并可提供精密的 µÙ 导通测量功能。此外，其 10 µs 快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征，并对新功率器件（例如 IGBT ）和宽带隙材料（例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）进行测试。该解决方案通过易用的软件环境还可显著提高输入检测和故障分析功能。
Keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是唯yi能够对 sub-pA 电平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件进行表征的综合解决方案。这些功能能够对新的器件（例如 IGBT）和材料（例如 GaN 和 SiC）进行测量。B1505A 支持各种模块：高电压 SMU（HVSMU）、强电流 SMU（HCSMU）、*电流（UHC）模块、超高电压（UHV）模块和高电压中等电流（HVMC）模块。B1505A 还支持：高功率 SMU（1 A/200 V）、中等功率 SMU（100 mA/100 V）、中等电流 SMU（1 A/30V 脉冲，100 mA/30V 直流）和多频电容测量单元（1 kHz – 5 MHz）。B1505A 的 10 插槽模块化主机支持您对其进行配置，以满足您的测量需求。
它还可以在高电压偏置（高达 3000 V）时执行全自动电容测量，例如 Ciss、Coss 和 Crss，也可以轻松地测试高频开关转换器的另一个重要参数——栅极电荷。还支持在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行自动热表征。
B1505A 软件环境以 Microsoft® Windows® 7 操作系统为基础，包括曲线追踪仪，支持用户检测器件特征和探测器件故障。如同使用曲线追踪仪一样，B1505A 提供旋钮控制可变扫描功能，可对参数（例如击穿电压）进行实时测量。B1505A 还提供“示波器查看功能”，可直观地帮助操作人员优化应用于器件的电压和电流。测量设置信息和数据可自动存储到 B1505A 的内置硬盘，并复制到 USB 闪存和其他便携存储器件。将器件测量结果汇总之后，测量数据可轻松复制到工程报告中。
强大的测试夹具解决方案对于确保操作人员安全（由于生成的高电压和强电流）和支持各种功率器件封装类型极为重要。以前的传统曲线追踪仪受功率器件大小的限制，无法对某些功率器件进行测试，而且有时为了测试某一器件必须临时装配适配器。然而不论器件的大小或形状如何，B1505A 的测试夹具可连接各种器件，例如功率 MOSFET、二极管和 IGBT 等。这可以通过大型测试夹具适配器和定制的测试夹具模块来实现。此外，测试夹具的内置互锁机制可确保在测试器件过程中安全地应用高电压和强电流。
是德Keysight B1505A功率器件分析仪图示仪主要特性与技术指标
广泛的工作条件与精密测量功能相结合
适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A 和 10 kV
中等电流测量和高电压偏置（例如，500 mA，1200 V）
μΩ 导通电阻测量功能
高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试
广泛的器件测量功能
可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss 等）
10 μs 高功率脉冲测量
封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量
高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征
多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供大的灵活性
通过互锁测试夹具执行安全的与温度相关的测试
改进的测量效率
在高电压和强电流测量之间自动切换，无需重新布线
自动测试电路形成，可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）测量
具有互锁机制的标准测试夹具，可进行封装功率器件测试
支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试
示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证
MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程
可升级和可扩展的硬件体系结构
广泛的测量模块选择
支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件
是德可提供一个转换套件，使现有的 B1500A 用户将其 B1500A 主机转换为 B1505A 主机。这使当前的 B1500A 用户能够以较低的成本扩展现有仪器的电压和电流测量功能。模块选型指南
测量资源 | 所需模块/扩展器 | 所需插槽数 | 大配置 | 主要技术指标 |
高功率 SMU（HPSMU） | B1510A HPSMU | 2 | 4 | 高达 200 V、1 A，10 fA 电流分辨率 |
中等功率 SMU（MPSMU） | B1511B MPSMU | 1 | 10 | 高达 100 V、100 mA，10 fA 电流分辨率 |
强电流 SMU（HCSMU） | B1512A HCSMU | 2 | 2 | 20 A/20 V（脉冲）；1 A/40 V（直流）*1 |
高电压 SMU（HVSMU） | B1513C HVSMU | 2 | 5 | 1500 V/8 mA；3000 V/4 mA（脉冲和直流） |
中等电流 SMU（MCSMU） | B1514A MCSMU | 1 | 6 | 1 A/30 V（脉冲）；100 mA/30 V（直流） |
多频电容测量单元（MFCMU） | B1520A MFCMU | 1 | 1 | 1 kHz 至 5 MHz；0 至 ±25 V，使用 MFCMU 内部直流偏置 |
高电压中等电流单元（HVMCU） | M1266A HVSMU 电流扩展器、 | 4 - 6 | 1 | ±1500 V / 2.5 A（脉冲），±2200 V/ 1.1 A（脉冲） |
*电流单元（UHCU） | N1265A *电流扩展器/夹具 | 2 - 4 | 1 | 1500 A/ 60 V（脉冲），22.5 kW 峰值功率、 |
超高电压单元（UHVU） | N1268A 超高电压扩展器 | 2 - 3 | 1 | 10 kV/10 mA（直流），10 kV/ 20 mA（脉冲） |
*1. 使用两个 HCSMU 和双 HCSMU 组合适配器，当前的范围可扩展至 40 A/20 V（脉冲）和 2 A/40 V（直流）。
美国是德Keysight B1506A功率器件分析仪半导体图示仪/曲线追踪仪是完整的功率电路设计解决方案，支持电路设计人员根据应用选择适合的功率器件，以便充分发挥功率电子产品的价值。B1506A 可以在不同工作条件下评测所有的功率器件参数，包括：IV 参数（击穿电压和导通电阻）、在高压偏置下的三端电容、栅极电荷和功率损耗。B1506A 用于电路设计的功率器件分析仪/曲线追踪仪提供所有曲线追踪仪功能以及更出色的特性。
B1506A 的性能十分出众，包括广泛的电压和电流（3 kV 和 1500 A）与温度（-50°C 至 +250°C）测量范围、快速脉冲功能以及 Sub-nA 电流测量分辨率，能够识别在实际电路工作条件下的不合格器件。其*的软件界面提供用户熟悉的器件技术资料格式，使用户无需经过正式培训即可轻松表征器件。测试夹具内的转换集成电路支持全自动测试功能，并能自动切换高电压和高电流测试以及 IV 测量和 CV 测量。
另外，用于器件测试夹具的插入式插座适配器可以减少电缆连接并避免人为误差。B1506A 同时支持完整的自动热表征：应用集成 Thermostream 控制或热敏印版。由于被测器件紧邻 B1506A 的测量资源，温度舱内不会出现因电缆延长线引起的明显寄生效应。
因此，B1506A 可以实现高温和低温条件下高达 1500 A 的无振荡超大电流精确测量。B1506A 革命性的功率电子器件电路设计功能可以帮助大限度地提升终端产品价值，并加快产品开发速度。
IV 套件（H20、H50、H70）价格与传统曲线追踪仪相当，但 B1506A 能够提供更丰富的*进特性。您也可以升级任意 B1506A IV 套件（H20、H50、H70），以扩展电流范围或添加 CV/Qg 测量功能（选件 H21、H51、H71）。
美国是德Keysight B1506A功率器件分析仪半导体图示仪主要特性与技术指标
B1506A 通用特性
高达 3 kV/1500 A 的运行范围
-50 °C 至 +250 °C 的全自动快速热测试
自动创建功率器件（半导体和元器件）技术资料
自动记录功能可以避免数据丢失
B1506A IV 套件特性
快速的全自动封装和晶圆上器件 IV 测量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）
窄 IV 脉宽（低至 10 μs），以防止器件自热，并测量器件真实性能
示波器视图（时域视图）提供实际电压/电流脉冲波形监测，以确保精确测量
可扩展配置，支持添加 CV 和 Qg 功能，以及扩展电流范围由 20A 升至 500 A 或 1500 A
B1506A 完整套件特性
全部 IV 套件特性
高达 3 kV 的封装器件晶体管输入、输出和反向转移电容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）和栅极电阻（Rg）测量功能
封装器件栅极电荷（Qg）曲线测量
功率损耗计算（传导、驱动和切换损耗）
B1506A IV 套件
B1506A-H20 20 A / 3 kV IV 测量
B1506A-H50 500 A / 3 kV IV 测量
B1506A-H70 1500 A / 3 kV IV 测量
B1506A 完整套件
B1506A-H21 20 A / 3 kV IV、C-V 和栅极电荷测量
B1506A-H51 500 A / 3 kV IV、C-V 和栅极电荷测量
B1506A-H71 1500 A / 3 kV IV、C-V 和栅极电荷测量
